ウェーハの説明
ウェーハは、半導体デバイスの「粒」または「チップ」の基板であり、伸びたり伸びたりしている高純度シリコン結晶柱(クリスタルインゴット)から切断されます。 「ウエハー」と呼ばれます。 その後、正確な「マスク」を使用して、感光プロセスを通じて所望の「耐光性」を取得し、その後、シリコン材料を溝に正確にエッチングし、金属真空蒸着プロセスを継続し、別の「ダイまたはチップ」。 (ダイ、チップ)は、さまざまなマイクロコンポーネントと細線を完成させます。 ウェーハの裏面については、金層がさらに蒸着されて、スタンドへのダイアタッチとして機能します。 上記のプロセスは、ウェーハ製造と呼ばれます。 小さい集積回路の初期には、6インチウェーハごとに数千のダイが製造されていました。 現在、サブミクロンの線幅を備えた大規模なVLSIは、8インチウエハあたり100〜200個の大きなもののみを完成させることができます。 チップ。 ウエハーの製造は数百億ドルを投資していますが、それはすべてのエレクトロニクス産業の基盤です。
エピタキシャルウェーハとしても知られるウェーハ、サファイア基板、エピタキシャルウェーハ。 これは、集積回路の製造に使用されるキャリアであり、単結晶シリコンウェーハを指します。 ディスプレイ照明およびLED産業に使用されます。
製品詳細
定格電流 |
1.0AMP |
接触抵抗 |
最大20mΩ |
絶縁抵抗 |
500MΩ以上 |
耐電圧 |
500V AC /分 |
動作温度 |
﹣25℃〜+ 85℃ |
コンタクト材料 |
真鍮 |
コンタクトめっき |
Ni上のAuまたはSn |
絶縁体材料 |
ポリエステル(UL94V-0) |
標準 |
PA9T + 30%GF |
配達時間:10〜15日
UL:はい
RoHS対応
適用範囲
携帯電話、デジタルカメラ、DVD、LCD TV ...
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